Trenutno prazna: 0.00 RSD
TRANZISTOR BUZ80AF
TRANZISTOR BUZ 80 AF
Karakteristike: V-MOS-L ,<4R , 800V , 2,6A , 35W
Kućište: SOT-186
Tip: MOS-N-FET
Zamene:2SK1356 , 2SK1460 , STP4NB80FP
TRANZISTOR BUZ90A
TRANZISTOR BUZ 90A
Karakteristike: V-MOS, <1,6R(2,8A), 600V, 4,5A, 78W
Kućište: TO-220
Tip: MOS-N-FET
Zamene:BUZ90
TRANZISTOR BUZ90AF
TRANZISTOR BUZ 90 AF
Karakteristike: V-MOS <1,6R(2,8A) 600V, 4,5A, 35W
Kućište: SOT-186
Tip: MOS-N-FET-E
Zamene:BUZ90
TRANZISTOR BUZ91A
TRANZISTOR BUZ 91 AF
Karakteristike: V-MOS ,< 0,8R (5A) 600V , 8,5A , 75W
Kucište: SOT-186
Tip: MOS-N-FET-e
Zamene:BUZ91
TRANZISTOR BUZ91AF
TRANZISTOR BUZ 91 AF
Karakteristike: V-MOS ,< 0,8R (5A) 600V , 8,5A , 75W
Kucište: SOT-186
Tip: MOS-N-FET-e
Zamene:BUZ91
TRANZISTOR C8050
TRANZISTOR C8050
Karakteristike: Uni , -/25V , 0,8A , 0,625W Kućište: TO-92 Zamene: BC337, BC635, BC637
TRANZISTOR FGH40N60UFD
Oznaka tipa: FGH40N60UFD
Tip IGBT kanala: N-kanalni
Maksimalni napon kolektor-emiter |Vce|, V: 600
Napon zasićenja kolektor-emiter |Vcesat|, V: 1.8
Maksimalna struja kolektora |Ic|, A: 40
Kuciste: TO247
TRANZISTOR FN1016
TRANZISTOR FP1016 Karakteristike: Darlington transistor NPN Kućište: TO-3P
TRANZISTOR FP1016
TRANZISTOR FP1016 Karakteristike: Darlington transistor PNP Kućište: TO-3P
TRANZISTOR IGBT 20N120
IGBT 20N120
KUCISTE:TO-247
SNAGA 200W
MAX.NAPON PROBOJA KOLEKTOR-EMITER 1200V
TRANZISTOR IGBT 20N60A4
IGBT TRANZISTOR HGTG 20N60A4
N-channel IGBT whit Anti-Parallel Hyperfast Diode
20A(>100kHz operation at 390V) , 600V
KUCISTE : TO-247